Introdução à cerâmica de semicondutores

Através de medidas de semicondutorização, a cerâmica possui grãos semicondutores e limites de grãos isolantes (ou semicondutores), mostrando assim fortes barreiras de interface e outras propriedades semicondutoras.

Existem dois métodos principais para a semicondutorização da cerâmica: método de redução forçada e método de doping de doadores (também conhecido como método de controle de valência atômica). Ambos os métodos formam defeitos como vagas de íons nos cristais de cerâmica, fornecendo assim um grande número de elétrons condutores, tornando os grãos na cerâmica um determinado semicondutor (geralmente do tipo n). O intercalador entre esses grãos é uma camada isolante ou outro tipo de semicondutor (tipo P).

Existem muitos tipos decerâmica semicondutora, incluindo vários termistores de coeficiente de temperatura negativos fabricados usando as propriedades dos grãos na cerâmica semicondutores; Capacitores de semicondutores, varistores de ZnO, Termistores de coeficiente de temperatura positivos do BATIO3, células solares CDS/Cu2s fabricadas usando as propriedades dos limites dos grãos; e vários resistores higroscópicos de cerâmica e resistores sensíveis ao gás feitos usando propriedades de superfície. A Tabela 2 lista a cerâmica típica de semicondutores para sensores.

A cerâmica fotoelétrica CDS/Cu2S é diferente da cerâmica semicondutora listada na tabela acima que usam as propriedades da camada limite de grão isolante. Eles usam o efeito fotovoltaico da heterojunção de PN entre os CDs do tipo N e as camadas de limites de grão Cu2s do tipo P. As células solares cerâmicas feitas deles podem ser usadas como fontes de energia para estações não tripuladas e como dispositivos de acoplamento fotoelétricos em instrumentos eletrônicos.